文档预览： HY2110 1 节锂离子/锂聚合物电池保护 IC © 2009-2011 HYCON Technology Corp www.hycontek.com 注意： 1、 本说明书中的内容，随着产品的改进，有可能不经过预告而更改。请客户及时到本公司网站下载更 新 http://www.hycontek.com 。 2 ... 点击下载

文档预览： 功率MOSFET 的基本知识 自1976 年开发出功率MOSFET以来，由于半导体工艺技术的发展，它的性能不断提高：如高压功率MOSFET其工 作电压可达 1000V；低导通电阻MOSFET其阻值仅lOm?；工作频率范围从直流到达数兆赫；保护措施越来越 ... 点击下载

文档预览： ... 将原线圈接到电压有效值不变的正弦交流电源上，副线圈连接相同的灯泡L 1、L 2，电路 ... B．从同种玻璃射入空气发生全反射时，a光的临界角大 C．通过同一装置发生双缝 ... 尽管入射离子速度不完全相同，但入射速度都很大，且在板间运动时O′ ... 点击下载

文档预览： 由于冷却水的电导率很低，当发生漏酸现象时，泄露的硫酸导致冷却水中的可导电离子增多，从而使冷却水的电导率变大，由公式一可知，在传感器 ... 由于采用了交流电桥测量电路和比较器电路，因此该仪器在长期使用中具有灵敏度高，测量范围广 ... 点击下载

文档预览： 1 第六节 场效应管 英文缩写：FET 场效应管是另一种具有正向受控作用的半导体器件，从制做工艺的结法上分为两大类型： 第一类：结型场效应管（JFET） 第二类：绝缘栅型场效应管（IGFET） 又称：金属一氧化物一半导体型（MOSFET）; 简称 ... 点击下载