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第六节
场效应管- 英文缩写：FET
- 场效应管是另一种具有正向受控作用的半导体器件，从制做工艺的结法上分为两大类型：
- 第一类：结型场效应管（JFET）
- 第二类：绝缘栅型场效应管（IGFET）
- 又称：金属一氧化物一半导体型（MOSFET）; 简称 MOS型场效应管。
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- 其中MOS场效管具有制造工艺简单，占用芯片面积小，器件的特性便于控制等特点。因此MOS管是当前制造超大规模集成电路的主要有源器件，并且已开发出许多有发展前景的新电路技术。
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一、MOS场效应管
- MOS管又分为 增强型（EMOS）两种
- 耗尽型（DMOS）
- 每一种又有 N沟道型
- P沟道型