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文档格式:pdf 更新日期:2007-05-09等:氮化镓粉末的合成及其结构性质的研究文档预览: 肖洪地 等:氮化镓粉末的合成及其结构性质的研究 221 氮化镓粉末的合成及其结构性质...GaN还具有热导率高,抗辐射能力强和高温化学稳定性好等特点,因此它还可以应用于... 点击下载
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文档格式:pdf 更新日期:2011-09-142010-2015年中国半导体材料市场深度调研与战略投资前景咨询报...文档预览: 广泛,并占据不可取代的重要地位。选择宽带隙半导体材料的主要理由是显而易见的。氮化镓的热导率 明显高于常规半导体。这一属性在高功率放大器和激光器中是很起作用的。... 点击下载
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文档格式:pdf 更新日期:2010-05-07年中国半导体材料市场深度调研与战略投资前景咨询报告文档预览: 氮化镓的热导率明显高于常规半导体. 这一属性在高功率放 大器和激光器中是很起...一,氮化镓半导体材料市场的发展状况...错误!未定义书签. 二,氮化镓照亮半导体... 点击下载
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文档格式:pdf 更新日期:2011-09-30中科院上海光机所光电事业部产品介绍文档预览: 中科院上海光机所光电事业部产品介绍 蓝宝石(Al 2 O 3 ) 蓝宝石(Sapphire, 又称白宝石,分子式为 Al 2 O 3 )单晶是一种优秀的多功能材料。它 耐高温 ,导热好,硬度高,透红外,化学稳定性好。广泛用于工业、国防和科研的多个领域 (如耐 ... 点击下载
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文档格式:pdf 更新日期:2011-09-122010- 2015年中国半导体材料市场运行态势与战略投资前景咨询...文档预览: 择宽带隙半导体材料的主要理由是显而易见的。氮化镓的热导率明显高于常规半导体。这一属性在高功率放大器和 激光器中是很起作用的。带隙大小本身是热生率的主要贡献者。... 点击下载
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文档格式:pdf 更新日期:2011-03-02中国半导体材料市场深度调研与战略文档预览: 砷化镓材料的电子迁移率是硅的6倍多,其器件具有硅....选择宽带隙半导体材料的 主要理由是显而易见的.氮化镓...氮化镓材料的禁带宽度为硅材料的3倍多,其器件在大... 点击下载
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文档格式:doc 更新日期:2011-03-19LED基材---氮化镓厚膜衬底文档预览: LED基材---氮化镓厚膜衬底 制备技术及设备项目 一、推荐理由 1、MOCVD—HVPE设... GaN作为超宽带隙半导体材料,具有高发光效率、高热导率、高电阻率、耐高温、抗辐射... 点击下载
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文档格式:doc 更新日期:2010-05-062010-2015年中国半导体材料市场深度调研与战略投资前景...文档预览: 2.7热导(W/c·K)1.30.62.0击穿电压(M/cm)... 砷化镓材料的电子迁移率是硅的6倍多,其器件具有硅...四,氮化镓的应用范围 87第七章 2009-2010年中国其他... 点击下载
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文档格式:doc 更新日期:2010-05-012010-2015年中国半导体材料市场深度调研与战略投资前景...文档预览: 砷化镓材料的电子迁移率是硅的6倍多,其器件具有硅....选择宽带隙半导体材料的主要理由是显而易见的.氮化镓... 第六章 2009-2010年中国半导体材料氮化镓产业运行... 点击下载
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文档格式:pdf 更新日期:2011-07-09报告题名: 具有Γ型闸极结构氮化铝镓/氮化镓文档预览: 那是因为蓝宝石底层[19][20]的低热导率。 具有Γ型闸极结构氮化铝镓/氮化镓高电子移动率电晶体之研制 17 逢甲大学学生报告 ePaper(2009 年) 图3-3 不同的 Si3N4 的电流... 点击下载
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