第4章 4.1 填空题
高频小信号放大器
4.1-1 晶体管的截止频率f是指当短路电流放大倍数||下降到低频 0的 工作频率. 4.1-2 矩形系数是表征放大器 好坏的一个物理量. 和 .
时所对应的
4.1-3 消除晶体管yre的反馈作用的方法有
4.1-4 晶体管的截止频率f是指当短路电流放大倍数||下降到低频 0的 工作频率. 4.1-5 矩形系数是表征放大器 好坏的一个物理量. 和 .
时所对应的
4.1-6 消除晶体管yre的反馈作用的方法有 4.2 分析问答题
4.2-1 简述宽带放大器的分析方法. 4.2-2 简述共射-共基组合电路扩展通频带的原理.
4.2-3 试简述高频小信号谐振放大器的主要技术指标. 4.2-4 对高频小信号放大器的主要要求是什么 高频小信号放大器有哪些分类
4.2-5 高频谐振放大器中,造成工作不稳定的主要因素是什么 它有哪些不良影响 为 使放大器稳定工作,可以采取那些措施 4.2-6 说明fβ,fTβ,f和fmax的物理意义.分析说明它们之间的关系. 4.2-7 为什么晶体管在高频工作时要考虑单向化或中和,而在低频工作时,可以不必考虑 4.2-8 声表面波滤波器,晶体滤波器和陶瓷滤波器各有什么特点,各适用于什么场合 4.2-9 在小信号谐振放大器中,三极管与回路之间常采用部分接入,回路与负载之间也 采用部分接入,这是为什么 4.2-10 简要叙述声表面波滤波器选频的工作原理. 4.3 计算题 4.3-1 调谐在中心频率为 f0=10.7MHZ 的三级单调谐放大器,要求 BW0.7≥100KHZ,试 确定每个谐振回路的有载品质因数 Qe. 4.3-2 中心频率都是 6.5MHZ 的单调谐放大器和临界耦合的双调谐放大器,若 Qe 均为 30,试问这两个放大器的通频带各为多少
4.3-3 一晶体管组成的单回路中频放大器,如图 4.3-1 所示.已知 f 0 = 465KHz ,
Cie=142pF, goe=55μS, Coe=18pF, Yfe=36.8mS, Yoe=0. 晶体管经中和后的参数为: m=4.4mS, g 回路等效电容C=200pF,中频变压器的接入系数p1=N1/N=0.35,p2=N2/N=0.035,回路无载品 质因数Q0=80,设下级也为同一晶体管,参数相同.试计算: (1)回路有载品质因数QL和 3dB带宽B0.7,
(2)放大器的电压增益; (3)中和电容值.(设Cb'c=3pF)
图 4.3-1 4.3-4 电路如图 4.3-2,参数如下:fo=30MHz,C=20PF,L13的Qo=60,N12=6,N23=4,N45=3. R1=10K,Rg =2.5K,RL=830,Cg=9PF,CL=12PF.求L13,QL.
图 4.3-2 4.3-5 电 路 如 图 4.3-3 所 示 , 已 知 L=0.8 μ H,Qo=100,C1=25PF,C2=15PF,Ci
=5PF,Ri=10K,RL=5K.试计算fo,Rp和QL.
图 4.3-3
4.3-6 三级单调谐中频放大器,中心频率f0=465KHz,若要求总的带宽B0.7=8KHz,求每
一级回路的 3dB带宽和回路有载品质因数QL值.
4.3-7 若采用三级临界耦合双回路谐振放大器作中频放大器(三个双回路),中心频
率为 f0=465KHz,当要求 3dB 带宽为 8KHz 时,每级放大器的 3dB 带宽有多大 当偏离中心 频率 10KHz 时,电压放大倍数与中心频率时相比,下降了多少分贝 4.3-8 晶体管 3DG6C的特征频率fT=250MHZz, β 0 =80,求f=1MHz和 20MHz,50MHz时 该管的 β 值. 4.3-9 已知某高频管在UCEQ=6V,IEQ=2mA时的参数为fT=250MHz,bb'=50,Cb'c=3pF,βo=60, r 试求f=465KHz时的共发射极Y参数值. 4.3-10 三级相同的谐振放大器级联,中心频率fo=465kHz,若要求总带宽B0.7=10kHz,试求
B
每级回路的带宽和有载QL值.; 4.3-9 在图 4.3-4 中,放大器的工作频率fo=10.7MHz,谐振回路L13=4μH,Qo=100,N23=5, N13=20 , N45=6, 晶 体 管 在 直 流 工 作 点 的 参 数 为 goe=200 μ S,Ceo=7PF,gie=2860 μ S,Cie=18PF,|yfe|=45mS,Φfe=-54o,yre=0.试求:(1)画高频等效电路;(2)计算C,Au0,2Δf0.7,Kr0.1.

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