ISO 9001 Registered
IMP3211
照明 自振荡半桥驱动电路

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IMP3211(S)为高压高速功率MOSFET和IGBT驱动器,为半
桥应用而设计的高低侧独立的输出通道.
专有的HVIC和抗扰CMOS工艺,耐用的整体结构.逻辑输
入与标准CMOS输出有兼容性.提供内部死区时间以避免半桥
直通浮置沟道能驱动N沟道功率MOSFET或IGBT,高侧能以高
达600V电压操作.
● 专为自举操作设计的浮置沟道,能在
600V工作,容忍负暂态电压dV/dt
● 门驱动电压从10V-20V
● 双通道欠电压锁定输出
● 下拉的CMOS施密特触发输入
● 双通道匹配的传输延迟
● 内部设置死区时间
● 高侧输出相位与输入一致
● 无铅产品
.
芯片描述
封装
关键特性


VCCVB
V
S
HO
LO
IN
COM
IN
up to 600V
TO
LOAD
V
CC
典型连接
www.szhyxk.com.cn

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