( ) 1. 下列何项不是理想运算放大器(OP Amp)之特性 (A) 输入阻抗为零 (B) 共模拒斥比(CMRR)
无限大 (C) 开环路电压增益无限大 (D) 频宽(band width)无限大
( ) 2. 下列何者为运算放大器的编号 (A) (A741 (B) 1N4001 (C) 2SC1815 (D) C106B
( ) 3. 某一元件的编号为2SK30A,则该元件为 (A) NPN之BJT (B) N通道之JFET (C) P通道之JFET (D) PNP之BJT
( ) 4. 电晶体编号2SB77A,其中B表示 (A) PNP高频用电晶体 (B) PNP低频用电晶体 (C) NPN高频用电晶体 (D) NPN低频用电晶体
( ) 5. 如右图所示IC之CP 9012表示 (A) 1990年12月制造 (B) 1990年第12日制造 (C) 1990年1月2日制造 (D) 1990年第12周制造
( ) 6. 电子材料中,积体电路一般简称为 (A) DC (B) CMOS (C) TTL (D) IC
( ) 7. 下列何者属於二极体的编号 (A) 2SA684 (B) 1N4148 (C) CS9013 (D) 2N3055
( ) 8. 下列何种FET在制做时未预置通道 (A) 增强型MOSFET (B) P通道JFET (C) N通道JFET (D) 空乏型MOSFET
( ) 9. 对接面场效电晶体 (JFET) 而言,当其工作在饱和区时之ID电流为何
(A) ID=K(VGS-VT)2 (B) ID=IDSS(1-)2 (C) ID=2(VGS-VT) (D) ID=IS
( )10. 编号741运算放大器的第2支接脚 (A) 反相输入 (B) 同相输入 (C) 正电源 (D) 输出
( )11. 某N通道空乏型MOSFET的IDSS=12mA,夹止电压VGS(OFF)=-4.5V,当VGS=-4V时,其ID之值为若干 (A) 12mA (B) 0.15mA (C) 3.7mA (D) 6mA
( )12. 有一N通道空乏型MOSFET的IDSS=8mA,VGS(OFF)=-4V,则在VGS=0V的情况下,ID值为何
(A) 8mA (B) 16mA (C) 2mA (D) 4mA
( )13. 金属包装的双极性电晶体,其金属外壳通常为 (A) 基极 (B) 闸极 (C) 集极 (D) 射极
( )14. (A741运算放大器,其输出是在第几只接脚 (A) 脚2 (B) 脚7 (C) 脚6 (D) 脚3
( )15. 对一般的PN二极体而言,其元件有记号 (或标注) 的地方,通常为 (A) 集极 (B) 阴极 (C) 阳极 (D) 闸极
( )16. 承上图所示IC之第8支脚为 (A) B (B) D (C) C (D) A
( )17. 下列何者不是场效电晶体的优点 (A) 适合工作於较高频率 (B) 无抵补电压 (C) 高输入阻抗 (D) 低杂讯
( )18. 所谓的超大型积体电路(VLSI),系指在一个半导体晶片上的零件数目为 (A) 10～100个 (B) 10000个以上 (C) 100～1000个 (D) 1000～10000个
( )19. 二极体不具下列何种功能 (A) 截波 (B) 检波 (C) 放大 (D) 整流
( )20. 下列电子零件编号中,何者为二极体 (A) 1N4003 (B) 7404 (C) CS9012 (D) NE555
( )21. 超大型积体电路(VLSI)的电晶体元件容量大约为 (A) 1000～10000个 (B) 100～1000个 (C) 10～100个 (D) 10000个以上
( )22. 谁制作出第一个接面型的锗电晶体 (A) 萧克力 (B) 基尔比 (C) 弗莱明 (D) 迪耳
( )23. 如图所示电路,若Vi之峰值大於Vz(稽纳二极体崩溃电压),则Vo之波形为 (A) (B) (C) (D)
( )24. 电子伏特(eV:electron volt)是下列那一种表示的使用单位 (A) 电压 (B) 电量 (C) 电流 (D) 能量
( )25. 有一矽二极体,在温度25°C时的逆向饱和电流为3nA,试求出温度升高至65°C时,逆向饱和电流为多少 (A) 48nA (B) 18nA (C) 6nA (D) 30nA

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